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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.3
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.6
19.3
写入速度,GB/s
9.4
16.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3914
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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