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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.6
19.1
写入速度,GB/s
9.4
14.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3363
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
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Kingston 9905598-039.A00G 16GB
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
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