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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
差异
规格
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
23
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
22
读取速度,GB/s
13.6
16.8
写入速度,GB/s
9.4
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3097
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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