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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
27
读取速度,GB/s
13.6
17.8
写入速度,GB/s
9.4
14.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3386
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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