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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
32
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
32
读取速度,GB/s
13.6
16.5
写入速度,GB/s
9.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3274
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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