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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
32
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
32
读取速度,GB/s
13.6
15.0
写入速度,GB/s
9.4
10.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2895
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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