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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.6
12.9
写入速度,GB/s
9.4
9.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2190
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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