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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
23
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.1
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
16
读取速度,GB/s
13.6
22.1
写入速度,GB/s
9.4
18.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3906
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
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