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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
26
读取速度,GB/s
13.6
11.8
写入速度,GB/s
9.4
5.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
1884
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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