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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Kingston 9905625-097.A00G 16GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.6
17.2
写入速度,GB/s
9.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2809
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
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