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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Kingston 9905703-009.A00G 16GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.6
17.6
写入速度,GB/s
9.4
14.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2915
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
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