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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 47% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
43
读取速度,GB/s
13.6
15.5
写入速度,GB/s
9.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2864
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905599-020.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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