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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
65
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
65
读取速度,GB/s
13.6
15.8
写入速度,GB/s
9.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
1932
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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