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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
26
读取速度,GB/s
13.6
13.5
写入速度,GB/s
9.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2157
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
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