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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
24
读取速度,GB/s
13.6
15.0
写入速度,GB/s
9.4
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2333
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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