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Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
比较
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
总分
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
总分
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
14.2
15.0
写入速度,GB/s
8.4
10.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2309
2895
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
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