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Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
比较
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
总分
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
14.2
16.8
写入速度,GB/s
8.4
14.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2309
3527
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 99U5403-043.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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