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Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
比较
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
16.2
14.4
写入速度,GB/s
12.6
10.4
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2941
2179
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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