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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
12.6
16.9
写入速度,GB/s
7.8
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
3236
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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