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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
33
读取速度,GB/s
12.6
16.6
写入速度,GB/s
7.8
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
2947
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
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