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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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规格
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
40
左右 -90% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
21
读取速度,GB/s
12.6
18.1
写入速度,GB/s
7.8
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
3087
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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