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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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规格
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.6
16.2
写入速度,GB/s
7.8
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
2950
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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