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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
Super Talent F21UB8GS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Super Talent F21UB8GS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
40
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
12.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
22
读取速度,GB/s
12.6
14.0
写入速度,GB/s
7.8
7.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
2200
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
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