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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.4
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
14.2
20.4
写入速度,GB/s
8.9
17.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2412
4214
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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