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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
12.8
14.1
写入速度,GB/s
9.4
11.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2282
2552
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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