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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
12.8
18.7
写入速度,GB/s
9.4
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2282
3327
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
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