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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
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规格
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
12.8
20.7
写入速度,GB/s
9.4
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2282
4033
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB RAM的比较
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
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