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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
66
左右 56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
66
读取速度,GB/s
12.8
15.9
写入速度,GB/s
9.4
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2282
1877
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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