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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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规格
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
12.6
18.3
写入速度,GB/s
8.6
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
3454
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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