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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
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规格
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Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
44
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
37
读取速度,GB/s
12.6
16.8
写入速度,GB/s
8.6
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
2990
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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