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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
INTENSO 5641152 4GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs INTENSO 5641152 4GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
INTENSO 5641152 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641152 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
INTENSO 5641152 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
12.6
14.1
写入速度,GB/s
8.6
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
2215
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
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Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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