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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
12.6
16.0
写入速度,GB/s
8.6
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
2824
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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