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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
4,837.1
18.0
写入速度,GB/s
2,027.0
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3711
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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