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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
4,837.1
18.1
写入速度,GB/s
2,027.0
13.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3534
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB RAM的比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
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Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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