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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
52
左右 -41% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
37
读取速度,GB/s
4,837.1
16.3
写入速度,GB/s
2,027.0
10.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2658
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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