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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
4,837.1
12.9
写入速度,GB/s
2,027.0
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2619
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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