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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
54
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
2,027.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
54
读取速度,GB/s
4,837.1
10.8
写入速度,GB/s
2,027.0
8.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2277
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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