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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
2,027.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
4,837.1
11.2
写入速度,GB/s
2,027.0
7.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2266
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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