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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
4,837.1
15.7
写入速度,GB/s
2,027.0
11.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2803
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
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