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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
52
左右 -126% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
2,027.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
23
读取速度,GB/s
4,837.1
16.4
写入速度,GB/s
2,027.0
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2532
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
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