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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
52
左右 -148% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
21
读取速度,GB/s
4,837.1
19.2
写入速度,GB/s
2,027.0
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3350
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
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