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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
51
左右 -34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
38
读取速度,GB/s
5,021.4
14.6
写入速度,GB/s
2,135.0
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2853
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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