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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
51
左右 -104% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
25
读取速度,GB/s
5,021.4
16.0
写入速度,GB/s
2,135.0
12.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3058
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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