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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
5,021.4
17.8
写入速度,GB/s
2,135.0
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3273
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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