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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
5,021.4
18.4
写入速度,GB/s
2,135.0
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3500
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
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