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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
5,021.4
16.8
写入速度,GB/s
2,135.0
12.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3246
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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