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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
51
左右 -38% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
37
读取速度,GB/s
5,021.4
14.8
写入速度,GB/s
2,135.0
11.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2814
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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