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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
51
左右 -50% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
34
读取速度,GB/s
5,021.4
16.4
写入速度,GB/s
2,135.0
10.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2881
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
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