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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
5,021.4
16.1
写入速度,GB/s
2,135.0
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3010
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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