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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
51
左右 -50% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
34
读取速度,GB/s
5,021.4
15.6
写入速度,GB/s
2,135.0
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3465
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
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